我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世

首创掺氮中子嬗变硅单晶 解决了硅片完整性和均匀性问题

6月24日，国早硅材中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、期半中国科学院半导体研究所研究员、导体我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效，料奠梁骏不幸于2022年6月23日17时在北京逝世，基人享年89岁。吾院

梁骏吾院士1933年9月18日生于湖北武汉，士逝世1997年当选中国工程院院士。国早硅材他先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，期半国家科技进步三等奖1次、导体中科院重大成果和科技进步一等奖3次、料奠梁骏二等奖4次，基人上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。吾院

梁骏吾院士从事半导体材料科学研究工作六十多年，士逝世是国早硅材我国早期半导体硅材料的奠基人。上世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术；1964年制备出室温激光器用 GaAs 液相外延材料；1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶；80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题；90年代初研究 MOCVD 生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平；他还在太阳电池用多晶硅的研究和产业化等方面发挥着积极作用。

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